摘要：基于“U”形增強型雙擴散金屬氧化物半導體（DMOS＋）平面元胞、增強型受控緩沖層（CPT＋）技術及結終端擴展（JTE）終端結構，通過引入載流子存儲層、優化背面緩沖層及背面集電極結構，開發出低導通損耗、高關斷能力及寬短路安全工作區的4500VIGBT芯片。高溫測試（Tj=125℃）結果表明，該4500VIGBT的導通壓降（Vceon）為3V，能夠關斷6．75倍額定電流，并通過了Vgeon=21．5V、tsc=15μs的極限短路測試；4500V／1200AIGBT模塊的最高工作結溫巧達150℃。