摘要：本文基于半導體器件物理的教學實踐,從非簡并半導體的玻爾茲曼統計規律出發,總結了載流子濃度變化與費米能級之間的簡明規律,即室溫下當載流子濃度改變1個數量級,則其對應的費米能級改變60 meV.為深入理解該規律,本文通過對非平衡狀態下的準費米能級、半導體的功函數、MIS結構的閾值電壓及PN結的內建電勢等實例,對重要參數進行了分析和計算.該規律有助于學生在學習過程中加深感性認識,培養和提高分析和設計半導體器件的能力.
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