摘要：基于南京電子器件研究所的100nm GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝,研制了6~18GHz寬帶低噪聲放大器。低噪聲單片電路采用了三級結構,偏置電壓為12V,電流約為70mA時,在6~18GHz頻帶內噪聲系數小于1.7dB,增益大于25dB,駐波比小于2,1 dB增益壓縮點輸出功率帶內最小值約為10dBm。前兩級采用電流復用結構,降低了功耗;后級采用并聯反饋結構,改善帶內增益平坦度。芯片尺寸為2.0mm×1.35mm。