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Ga沉積量對形成Al Ga As表面納米結構的影響

摘要:利用液滴外延技術在Al0. 4Ga0. 6As表面制備了納米結構并用原子力顯微鏡進行表征,發現納米結構的密度隨金屬Ga沉積量的增加呈先增加后減小再增加的趨勢。這種密度異常變化的現象,主要是由于液滴之間相互擴散并最終形成連續的平坦層,隨著沉積量的繼續增加,新吸附的Ga原子在平坦層上面形成新的Ga液滴,從而導致了密度的降低。此外,納米結構的孔深、孔徑、環高和盤徑幾何特征尺寸隨著沉積量的增加而增加,且在表面[1-10]和[110]兩個方向上納米結構中的量子環以及盤狀結構的形貌特征呈現各向異性。

關鍵詞:
  • 液滴外延  
  • al  
  • ga  
  • as  
  • 量子環  
  • 盤狀結構  
  • 納米孔  
作者:
黃延彬; 丁召; 馬明明; 王一; 羅子江; 李志宏; 郭祥
單位:
貴州大學大數據與信息工程學院; 貴陽550025; 貴州省微納電子與軟件技術重點實驗室; 貴陽550025; 半導體功率器件可靠性教育部工程研究中心; 貴陽550025; 貴州財經大學信息學院; 貴陽550025
刊名:
人工晶體學報

注:因版權方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社

期刊名稱:人工晶體學報

人工晶體學報緊跟學術前沿,緊貼讀者,國內刊號為:11-2637/O7。堅持指導性與實用性相結合的原則,創辦于1972年,雜志在全國同類期刊中發行數量名列前茅。

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