摘要：銫基鹵化鉛(CsPbI3)鈣鈦礦納米晶具有高光致發光效率、窄的半峰寬及高量子產率等光電特性。但是由于納米晶的表面缺陷,導致CsPbI3鈣鈦礦納米晶穩定性較差,限制了其應用范圍。改善表面缺陷,提高納米晶的穩定性成為研究熱點。所以在傳統熱注法制備CsPbI3納米晶的基礎上,采用簡單的母液稀釋法,160℃下油浴合成晶格間距為0.62 nm對應CsPbI3標準卡片(100)晶面的立方相納米晶。通過表征納米晶的熒光發射和吸收性能,并結合穩定時間的變化,結果發現其發射峰穩定在680~700 nm左右。穩定時間由原來的7 d提高到10 d,大大提高了CsPbI3納米晶的穩定性,而且降低了發射波長峰值處強度衰減速率,延遲了熒光猝滅進程。