摘要：基于硅基MEMS工藝的寬帶射頻收發微系統在實現武器裝備小型化的過程中具有十分重要的意義。將GaAs多功能芯片、MEMS濾波器等多種工藝制成的射頻器件集成到硅晶圓上,利用TSV及晶圓級鍵合工藝實現一個X頻段的射頻前端。射頻前端包括收發兩部分功能,利用它可以實現零中頻變頻功能及數控衰減功能。其三維結構尺寸為25mm×18mm×1mm,僅為分立器件搭建的射頻前端的1/8。測試結果表明,接收部分在通帶內增益大于35dB,噪聲系數小于6dB,1dB壓縮點大于0dBm;發射部分在通帶內增益大于9dB。與分立器件搭建的X頻段射頻前端相比,基于硅基MEMS工藝的射頻前端在輸出信號IQ一致性上有很大程度的提高,且樣品各性能指標符合設計預期,驗證了設計的正確性和可行性。