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氧化處理對碳化硅陶瓷致密性的影響

摘要:采用不同制備工藝(即SiC粉體的預氧化處理),以Al2O3-MgO-Y2O3為燒結助劑,在1 900℃下無壓燒結制備SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷微觀結構和表面形貌.結果表明:碳化硅粉料未經預氧化處理,制備出的SiC陶瓷表面孔隙相對較小,密度相對較高.SiO2薄層的形成不利于制備高密度、高強度的SiC陶瓷樣品.

關鍵詞:
  • 碳化硅陶瓷  
  • 致密性  
  • 預氧化  
作者:
薛明明
單位:
伊犁師范大學物理科學與技術學院; 新疆凝聚態相變與微結構實驗室; 新疆伊寧835000
刊名:
伊犁師范學院學報·社會科學版

注:因版權方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社

伊犁師范學院學報·社會科學版緊跟學術前沿,緊貼讀者,國內刊號為:65-1186/G4。堅持指導性與實用性相結合的原則,創辦于1982年,雜志在全國同類期刊中發行數量名列前茅。

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