摘要：超薄基體埋氧全耗盡絕緣層基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下簡稱FD-SOI),是一種基于兩大創新來實現平面晶體管結構的工藝技術:一是,在體硅中引入了超薄的埋氧(BOX)層,作為絕緣層;二是,用超薄的頂硅層制造出全耗盡的晶體管溝道。FD-SOI最大的特點是可以在無需全面改造設備結構、完整性和生產流程的前提下實現摩爾定律下的芯片面積微縮、能耗節省、性能提升及功能拓展。FD-SOI晶體管的結構如圖1所示。