摘要：為研究N2壓強(qiáng)以及流量在磁控濺射中對TiN薄膜生長的影響,通過改變N2氣壓以及流量使用射頻磁控濺射設(shè)備在基片溫度為300℃,時長2h下生長TiN薄膜。采用電子掃描顯微鏡(SEM)表征薄膜形貌,獲得不同的TiN薄膜微觀圖像。通過改變工藝參數(shù),可以制備具有不同微觀形貌的TiN薄膜。